1.基本工艺流程
2.切割原理
3.清洗原理
4.技术发展方向
1. 基本工艺流程
2.切割原理：
碳化硅具有锋利的棱角，利用碳化硅磨料滚动摩擦，对硅块磨蚀切割。
聚乙二醇（切割液）将碳化硅黏合在钢丝上，钢线以一定的速度进行传送，实现滚动摩擦。
硅的莫氏硬度：7
碳化硅的莫氏硬度：9.0-9.2
3.清洗原理：
化学：Si+2OH-+H2O==SiO32-+2H2↑
物理：超声波震动颗粒，喷淋，温度
4.技术发展方向
（1）单晶切片往复切割工艺应用
优势：节约钢线，硅片厚度均匀
难点：解决线痕深度及宽度对电池印刷的影响，从而避免组件外观不合格。
（2）金刚线开方及切片技术
优势：硅片TTV大大改善，降低碎片，有利于薄片化。
难点：硅片表面平滑度不如碳化硅切割的好，线材及工艺需要优化
（3）带硅技术
优势：避免了切缝损失，硅料利用率高。
难点：生长的硅片晶粒细小，缺陷密度高，金属含量高，导致电池效率低。
