在纸上“印刷”多晶硅 工艺温度低于150℃

4月21日，荷兰代尔夫特理工大学（Delft University of Technology）与日本北陆先端科学技术大学院大学宣布，其开发出了在纸上“印刷”多晶硅层的技术，相关论文发表在了学术期刊《应用物理快报》（Applied Physics Letters）上。
 
此次开发的印刷方法是：（1）在没有氧气和水分的环境下，将“硅墨水”涂布到加热至80℃的基板上，硅墨水是将环戊硅烷（CPS，氢键合在硅的5节环上而形成）溶解在溶剂中制成的；（2）在温度为100℃的环境下，照射波长为365nm的紫外线（UV），然后使CPS聚合形成聚硅烷；（3）向聚硅烷层照射数十纳米的准分子镭射，变成多晶硅。上述包括TFT形成过程在内的程式的工艺温度不会超过150℃，可利用更多的柔性基板。
 
利用这项技术制作的TFT的载流子迁移率最大为23.5cm2/Vs。在按照这种方法制作的TFT中，只照射一次较高能量镭射制作的NMOS的载流子迁移率为2.6cm2/Vs、PMOS的载流子迁移率为3.9cm2/Vs。通过反复照射多次较弱镭射制成的NMOS的载流子迁移率为21.0cm2/Vs，PMOS的载流子迁移率为23.5cm2/Vs。
 
通过一次照射制作的NMOS和PMOS的电流导通截止比在104以上，而通过多次照射制作的NMOS和PMOS的电流导通截止比则较低，分别在103、102以上。